ID#6044 HSC Physics 2nd MCQ (Dhaka 2025)

i. অর্ধপরিবাহীর ক্ষেত্রে শক্তি ফাঁক (Energy gap) সাধারণত $0.5 eV$ থেকে $1.5 eV$ এর মধ্যে হয় (যেমন সিলিকনের জন্য প্রায় $1.1 eV$ এবং জার্মেনিয়ামের জন্য প্রায় $0.7 eV$)। $6 eV$ থেকে $15 eV$ পর্যন্ত শক্তি ফাঁক অন্তরকের (insulator) বৈশিষ্ট্য। তাই, এই বিবৃতিটি ভুল।
ii. অর্ধপরিবাহীর তাপমাত্রা বৃদ্ধি করলে, তাদের ভেতরের ইলেকট্রনগুলি আরও বেশি তাপশক্তি পায় এবং যোজ্যতা ব্যান্ড (valence band) থেকে পরিবহন ব্যান্ডে (conduction band) লাফিয়ে উঠতে পারে। এর ফলে মুক্ত ইলেকট্রন ও হোলের সংখ্যা বৃদ্ধি পায়, যা রোধকতা হ্রাস করে এবং পরিবাহিতা বাড়ায়। তাই, এই বিবৃতিটি সঠিক।
iii. পরমশূন্য তাপমাত্রায় (0 কেলভিন), অর্ধপরিবাহীতে ইলেকট্রনদের জন্য যোজ্যতা ব্যান্ড থেকে পরিবহন ব্যান্ডে যাওয়ার মতো কোনো তাপীয় শক্তি থাকে না। ফলে, কোনো মুক্ত চার্জ বাহক থাকে না এবং এটি একটি আদর্শ অন্তরকের মতো আচরণ করে। তাই, এই বিবৃতিটি সঠিক।
সুতরাং, সঠিক বিবৃতিগুলি হলো ii এবং iii।